مختبر الترانزستور الشامل: التضخيم والمفتاح الإلكتروني ومناطق العمل

BJT Transistor: تيارات الباعث والقاعدة والمجمع، تضخيم الإشارة، المفتاح الرقمي، ومنحنيات الخواص • إشراف الأستاذ: علي عسيري

الترانزستور كمفتاح إلكتروني المنطقة: القطع (Cut-off)
تيار القاعدة (IB)
0.00 µA
تيار المجمع (IC)
0.00 mA
جهد المجمع-الباعث (VCE)
9.00 V
معامل التكبير (β)
100
💡 فكرة العمل الفيزيائية: تيار القاعدة الضعيف يتحكم في تيار المجمع الضخم $I_C = \beta \cdot I_B$. عند انعدام تيار القاعدة، يكون الترانزستور في حالة قطع (مفتاح مفتوح)، وعند تدفق تيار كافٍ ينتقل إلى منطقة التشبع ليغلق الدائرة تماماً.
قوانين المفتاح والتحكم I_C = \beta \cdot I_B  |  V_{CE} = V_{CC} - I_C R_C

القطع: $I_B=0 \to I_C=0$ | التشبع: $V_{CE} \approx 0.2\text{V}$

نوع الترانزستور:
التحكم بجهد الدخل (Vin):
جهد القاعدة Vin (V) 0.00 V
مقاومة القاعدة RB (kΩ) 10 kΩ
معامل تكبير التيار (β) 100
تجارب جاهزة وسريعة: