١
نظرية النطاقات
نطاق التكافؤ: النطاق الذي تشغله الإلكترونات في الحالة الطبيعية. مكتمل أو شبه مكتمل.
نطاق التوصيل: النطاق الأعلى طاقةً، حين تنتقل إليه الإلكترونات تصبح حرة التحرك وتُوصّل الكهرباء.
الهوّة الطاقوية (Eg): الفجوة بين النطاقين. تحدد نوع المادة:
• موصل: لا هوة أو هوة صغيرة جداً (تداخل النطاقين)
• شبه موصل: هوة صغيرة (Si: 1.1 eV, Ge: 0.67 eV)
• عازل: هوة كبيرة جداً (SiO₂: ~9 eV)
• موصل: لا هوة أو هوة صغيرة جداً (تداخل النطاقين)
• شبه موصل: هوة صغيرة (Si: 1.1 eV, Ge: 0.67 eV)
• عازل: هوة كبيرة جداً (SiO₂: ~9 eV)
السيليكون (Si) هو المادة الأساسية في صناعة الرقائق الإلكترونية — هوته الطاقوية ~1.1 eV تجعله مثالياً للتحكم في التيار.
٢
محاكاة تفاعلية — نطاقات الطاقة
اختر نوع المادة لرؤية نطاقاتها
الموصل (نحاس): نطاق التكافؤ ونطاق التوصيل متداخلان — الإلكترونات حرة دائماً. لا هوة طاقوية. يوصّل الكهرباء بسهولة.
٣
الداوود (Diode)
مبدأ عمل الداوود: مكوّن من وصلة P-N. يسمح بمرور التيار في اتجاه واحد فقط (التحيز الأمامي)، ويوقفه في الاتجاه المعاكس (التحيز العكسي).
محاكاة الداوود
حالة التيار
يتدفق ✅
الاتجاه
أمامي →
تطبيقات: تحويل التيار المتردد (AC) إلى مستمر (DC) في أجهزة الشاحن — الداوود يسمح بنصف الموجة الموجبة فقط.
٤
الترانزستور
الترانزستور كمفتاح: تيار صغير في القاعدة (Base) يتحكم في تيار كبير بين المُجمّع (Collector) والمُشعّث (Emitter). استخدامه في الحوسبة: يمثل 0 (مفتوح) و1 (مغلق).
الترانزستور كمضخّم: إشارة صوتية ضعيفة تدخل القاعدة وتخرج من المُجمّع بقدرة أكبر بكثير. استخدامه في مكبرات الصوت ومضخمات الإشارة.
المعالج الحديث (CPU) يحتوي على مليارات الترانزستورات! معالج Apple M4 يضم ~28 مليار ترانزستور في رقاقة بحجم طابع بريدي.
التطعيم (Doping):
• النوع N: إضافة ذرات ذات 5 إلكترونات تكافؤ → زيادة إلكترونات حرة
• النوع P: إضافة ذرات ذات 3 إلكترونات تكافؤ → ظهور ثقوب (فجوات) موجبة
• النوع N: إضافة ذرات ذات 5 إلكترونات تكافؤ → زيادة إلكترونات حرة
• النوع P: إضافة ذرات ذات 3 إلكترونات تكافؤ → ظهور ثقوب (فجوات) موجبة
٥
اختبر فهمك
١. الهوّة الطاقوية للمواد العازلة تكون:
٢. الداوود يسمح بمرور التيار الكهربائي في:
٣. تطعيم السيليكون من النوع P يُضيف:
٤. الترانزستور يُستخدم أساساً كـ:
٦
ملخص الدرس
الموصل
لا هوة طاقوية
شبه الموصل (Si)
هوة ~1.1 eV
العازل
هوة كبيرة جداً
الداوود
تيار في اتجاه واحد
النوع N
إلكترونات حرة زائدة
النوع P
ثقوب (فجوات) موجبة