⚡ مختبر الإلكترونيات الشامل: أشباه الموصلات والدايود والترانزستور

فجوة الطاقة الممنوعة (Eg) 1.10 eV

حالة الانحياز أمامي (Forward)

جهد الحاجز (V_barrier) 0.70 V (سيليكون)

تيار الدايود المار 18.5 mA

نوع المادة ونوع التوصيل شبه موصل نقي

نوع المادة وتصنيف التوصيل:

الجهد المطبق على الدايود (V_applied): 1.2 V

درجة الحرارة (T): 300 K (غرفة)

جهد حاجز السيليكون: V_barrier = 0.7 V (عند 300K)

شرط مرور تيار الدايود: V_applied > V_barrier ⟹ تيار أمامي

نوع الشوائب المانحة: خماسية ➔ نوع n ، ثلاثية ➔ نوع p