جهد المصدر (V)
1.20 V
تيار الدايود (I)
25.0 mA
حاجز الجهد الداخلي (Vbarrier)
0.70 V
عرض طبقة النضوب (Depletion)
12 nm
💡 فكرة العمل: عند الانحياز الأمامي، يدفع القطب الموجب الفجوات، ويدفع القطب السالب الإلكترونات نحو الوصلة فتضيق طبقة النضوب. وعندما يتجاوز الجهد 0.7V للسيليكون، يتدفق التيار بغزارة!
معادلة شوكلي لتيار الدايود
I = I_s \cdot (e^{V / \eta V_T} - 1)
السيليكون: $V_0 = 0.7\text{V}$ | الجرمانيوم: $V_0 = 0.3\text{V}$
مادة شبه الموصل:
نوع الانحياز (Polarity):
جهد البطارية المطبق (V)
1.20 V